I dispositivi memristivi sono interruttori di resistenza elettrica che accoppiano gli ioni (cioè la dinamica degli ioni) con l'elettronica. Questi dispositivi offrono una piattaforma promettente per osservare gli effetti quantistici nell'aria, a temperatura ambiente e senza un campo magnetico applicato.
Per questo motivo, possono essere ricondotti a costanti fisiche fondamentali fissate nel Sistema internazionale di unità (SI) recentemente rivisto per la realizzazione di uno standard di resistenza basato sui quanti. Tuttavia, in quanto tecnologia emergente, i dispositivi memristivi mancano di standardizzazione e di approfondimenti sulla fisica fondamentale alla base dei suoi principi di funzionamento.L'obiettivo generale del progetto è studiare e sfruttare gli effetti della conduttanza quantizzata in dispositivi memristivi che funzionano in modo affidabile, in aria e a temperatura ambiente.
In particolare, il progetto si concentrerà sullo sviluppo di sistemi modello memristivi e tecniche di caratterizzazione nanometrologica a livello nanometrico di dispositivi memristivi, al fine di comprendere e controllare meglio gli effetti quantizzati nei dispositivi memristivi. Tale risultato consentirebbe non solo lo sviluppo di sistemi neuromorfici, ma anche la realizzazione di uno standard di resistenza implementabile su chip per sistemi autocalibranti con tracciabilità a catena zero nello spirito del SI rivisto.