La misurazione del parametro reticolare del silicio richiede di combinare interferometria ottica e a raggi X. La misura è fatta rapportando lo spostamento di un cristallo, misurato da un interferometro ottico, al numero di piani reticolari, contati da un interferometro a raggi X. Durante la misurazione, il moto del cristallo deve essere controllato su sei gradi di libertà con precisione e sensibilità alla scala atomica: 1 pm per la posizione longitudinale, 1 nm per le due direzioni trasversali, 1 nrad per le rotazioni di beccheggio e imbardata, 1 urad per quella di rollio. Queste prestazioni hanno richiesto lo sviluppo di tecnologie innovative di misura e controllo. Attualmente la precisione relativa della misura è pari a 2 x 10^-9