Il laboratorio sviluppa tecniche di misura per la determinazione assoluta del parametro reticolare del silicio e per la realizzazione dell’interferometria a neutroni con cristalli separati che richiedono la realizzazione del metro e del radiante mediante interferometri laser con accuratezza e sensibilità del picometro e sub-nanoradiante.
Le attività riguardano:
La misurazione del parametro reticolare del silicio mediante interferometria ottica e a raggi X. La misura è fatta rapportando lo spostamento di un cristallo, misurato da un interferometro ottico, al numero di piani reticolari, contati da un interferometro a raggi X. Durante la misurazione, il moto del cristallo deve essere controllato su sei gradi di libertà con precisione e sensibilità alla scala atomica: 1 pm per la posizione longitudinale, 1 nm per le due direzioni trasversali, 1 nrad per le rotazioni di beccheggio e imbardata, 1 µrad per quella di rollio. Queste prestazioni hanno richiesto lo sviluppo di tecnologie innovative di misura e controllo. Attualmente l’incertezza relativa della misura è pari a 2 x 10-9.
La realizzazione dell’interferometria a neutroni con cristalli di silicio separati e posti alla distanza di un metro richiede di combinare un sistema COXI con un interferometro a neutroni realizzando un’interferometria combinata ottica, X e a neutroni.