REALIZZAZIONE DI DISPOSITIVI MICROMETRICI
PROCESSI DI LITOGRAFIA OTTICA
Realizziamo processi fotolitografici sui materiali tipici dell’elettronica e della superconduttività, con le seguenti specifiche:
- risoluzione: fino a 800 nm;
- massima area del substrato: 3 pollici;
- spessore del substrato: minore o uguale a 1 mm
Inoltre possiamo realizzare maschere per litografia ottica tramite processi di laser writing (UV):
- dimensione dei pattern: fino a 3 pollici;
- risoluzione: fino a 800 nm
DRY ETCHING
Possiamo realizzare attacchi chimici tramite reactive ion etching e ion milling di alcuni film per elettronica. Sono attualmente disponibili i processi per: niobio, silicio e nitruro di silicio, titanio, argento, oro e lega oro-palladio. Specifiche:
- dimensione massima del substrato: 4 pollici;
- spessore massimo del film da attaccare: in funzione del tipo di film
DEEP REACTIVE ION ETCHING
Possiamo realizzare attacchi chimici ad alto aspect ratio in silicio tramite deep reactive ion etching mediante RIE Oxford PlasmaLab 100 COBRA. Sono attualmente disponibili i processi per: niobio, silicio e nitruro di silicio, titanio, argento, oro e lega oro-palladio. Specifiche:
- dimensione massima del substrato: 4 pollici;
- spessore massimo del film da attaccare: silicio oltre i 100 µm, aspect ratio 1:100
Punti di contatto: mailto:n.deleo@inrim.it, mailto:e.monticone@inrim.it, mailto:m.fretto@inrim.it, mailto:f.ferrareselupi@inrim.it