Deposizione e crescita di film sottili

L'INRIM dispone di vari sistemi in alto vuoto e ultra alto vuoto per la deposizione di film sottili e multistrati per varie applicazioni.

Film metallici, superconduttori e isolanti per l’elettronica

Materiali su cui si ha completa caratterizzazione del film prodotto: alluminio, argento, cromo, indio, niobio, oro, oro/palladio, rame, stagno, titanio, ossido di tantalio, ossido di silicio.

  • tecniche di deposizione: sputtering ed evaporazione
  • substrati: planari, tipici dell’elettronica (vetro, silicio, zaffiro, quarzo)
  • dimensione: da 1 a 2 pollici
  • spessore: fino a 1 μm
  • uniformità: 5-10% a seconda del materiale e del processo
Film magnetici per la realizzazione di sensori

Deposizione per sputtering rf e dc di materiali magnetici, sia a base metallica che ossidica. E' possibile ottenere film di elementi puri, leghe multielementari e sistemi multistrato, con struttura amorfa o policristallina a seconda del materiale.

  • film di cui si ha completa caratterizzazione: ferro, cobalto, nichel, leghe ferromagnetiche (es. Permalloy, FePd)
  • substrati: planari (vetro, silicio, vitreous carbon)
  • dimensione: da 1 a 2 pollici
  • spessore: fino a 2 μm, uniformità 10% a seconda del materiale e del processo
Contatti
Rapid Thermal Oxidation

Mediante Rapid Thermal Oxidation (RTO) è possibile crescere film di ossido di silicio su fette di silicio.

  • diametro fetta: 3-4 pollici
  • spessore ossido: 30 nm, uniformità su fetta <7%
  • massimo 20 pezzi
Ultima modifica: 15/05/2017 - 18:59