Deposizione e crescita di film sottili

Materiali su cui si ha completa caratterizzazione del film prodotto: alluminio, argento, cromo, indio, niobio, oro, oro/palladio, rame, stagno, titanio, ossido di tantalio, ossido di silicio.

• tecniche di deposizione: sputtering ed evaporazione
• substrati: planari, tipici dell’elettronica (vetro, silicio, zaffiro, quarzo)
• dimensione: da 1 a 2 pollici
• spessore: fino a 1 μm
• uniformità: 5-10% a seconda del materiale e del processo

Deposizione per sputtering rf e dc di materiali magnetici, sia a base metallica che ossidica. E' possibile ottenere film di elementi puri, leghe multielementari e sistemi multistrato, con struttura amorfa o policristallina a seconda del materiale.

• film di cui si ha completa caratterizzazione: ferro, cobalto, nichel, leghe ferromagnetiche (es. Permalloy, FePd)
• substrati: planari (vetro, silicio, vitreous carbon)
• dimensione: da 1 a 2 pollici
• spessore: fino a 2 μm, uniformità 10% a seconda del materiale e del processo

Mediante Rapid Thermal Oxidation (RTO) è possibile crescere film di ossido di silicio su fette di silicio.

• diametro fetta: 3-4 pollici
• spessore ossido: 30 nm, uniformità su fetta <7%
• massimo 20 pezzi